为制备同时具有高气孔率和高强度的硅结合SiC多孔陶瓷,以α-SiC粉、单质Si粉及TiO2粉为主要原料,在氩气气氛下经1 400 ℃保温3 h制备SiC多孔陶瓷,探究TiO2添加量(质量分数分别为0、2%、4%、8%)对材料物相组成、显微形貌、孔径分布及主要物理性能的影响。结果表明:随TiO2添加量的增加,单质Si的衍射峰逐渐消失,材料中检测到Ti3O5及TiSi2物相,伴随着新相的生成,SiC颗粒间结合更加紧密,其显气孔率及平均孔径减小,力学性能显著提升。当TiO2添加量为8%(w)时,材料具有优异的综合性能,其显气孔率、常温抗折强度及平均孔径分别为33.6%、29.6 MPa和0.27 μm。